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キオクシア/SanDisk、AI 基盤向け第 9 世代 2Tb QLC 3D フラッシュを公開 CBA・6 面・4.8Gb/s

キオクシアと SanDisk は 8 月 12 日、AI インフラの容量要求に応える 2Tb QLC 3D フラッシュ「第 9 世代」を共同公開しました。CMOS 直接接合 (CBA) と 6 面構造の採用で NAND インターフェイスを 4.8Gb/s (第 8 世代比 33% 増) に引き上げ、GPU 側の HBM ボトルネックとは別の記憶階層で AI ワークロードのスループット制約を緩和します。