キオクシアと SanDisk は 8 月 12 日 (初報は 2026-08-12)、AI およびデータ集約ワークロード向けに設計した第 9 世代の 2 テラビット QLC 3D フラッシュメモリ技術を共同で公開しました。CMOS 直接接合 (CBA: CMOS directly Bonded to Array) を採用し、CMOS ウェハとメモリアレイを別プロセスで最適化してから接合することで、書き込み・読み出し性能と電力効率を第 8 世代比で改善しています。GPU の HBM とは異なる大容量側の記憶階層で、AI 学習/推論のデータ供給ボトルネックを緩めるアプローチです。
主なポイント
- ダイあたり 2Tb の QLC 3D フラッシュ。設計は AI・データ集約系ワークロードに最適化
- CBA アーキテクチャ採用で CMOS 層とメモリアレイを別々に最適化し、後工程で接合。設計自由度と歩留まりを両立
- NAND インターフェイスは 4.8Gb/s。第 8 世代 QLC 比で 33% の高速化
- プレーン数は 6 面。読み書き帯域とレイテンシの改善に寄与
- 位置付け: HBM/GDDR で捌けない「AI 用大容量ストレージ」層。SSD 高集積化で GPU クラスタ隣接のホットデータ容量を確保する狙い