SK hynix と Sandisk は 8 月 5 日、米サンタクララで開催中の Flash Memory Summit 2026 (FMS) にて、High Bandwidth Flash (HBF) の初の OCP 技術仕様を公開しました。HBM の帯域と SSD の容量の中間を埋める新メモリ階層を業界標準として立ち上げ、AI 推論の帯域・容量制約を解消するのが狙いです。
主なポイント
- 仕様上限は 1 パッケージ 512GB (8-high / 16-high スタック)、帯域は 3 グレードで最大 3TB/s (最下位は約 0.4TB/s)
- 375 層 4D NAND を採用し、従来比 2.5 倍の電力効率を実現。UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) をホスト接続に採用しチップレット統合を前提化
- HBM と SSD の中間層として、モデル重みや KV キャッシュなど「大容量だが帯域も必要」なワークロードを DRAM から追い出す設計
- コンソーシアムには Google と Tenstorrent が参画し、技術検証と仕様策定に協力。標準化トラックに乗せることで採用障壁を下げる
- Sandisk と SK hynix は 2026 年 2 月から標準化を協業しており、今回の OCP 公開が最初の公式スペックリリース
出典: SK hynix Unveils First HBF Standard Specifications with Sandisk at FMS 2026 (SK hynix Newsroom)