中国の ChangXin Memory Technologies（CXMT）は 9 月 20 日、合肥で開催中の 2026 年世界製造大会で、同社の第 5 世代（G5）DRAM プラットフォームが量産段階に入ったと発表しました。EUV に依存せず四重パターニング（QPT）で活性領域ハーフピッチ 11.95nm を実現し、24Gb LPDDR5X 品を 2 種類ラインアップに加えたと説明しています。

主なポイント

  • G5 プラットフォームは 24Gb LPDDR5X 2 品種で先行量産に入り、既に中国スマートフォンのフラッグシップ機に採用されていると同社が説明
  • 前世代比でウェハ 1 枚当たりのグロスダイ数が 50% 以上増加し、モバイル向け容量密度も 50% 向上したとしている
  • 生産能力は 2020 年の月産約 4 万枚から 2026 年時点で約 30 万枚まで拡大し、年内に 35〜37.5 万枚を目標
  • CXMT は中国最大の DRAM メーカーで、世界シェアでも 4 位に位置すると主張。Samsung / SK hynix / Micron を追う構図が鮮明化
  • ASML 製 EUV 装置を使わずに 11.95nm 級を量産する体制で、対中輸出規制下でも DRAM ロードマップを進められることを示した

出典: China's CXMT Starts Mass Production on 5th-Generation DRAM Process — Seoul Economic Daily